|
☰ Все разделы → Комплектующие Samsung Память для компьютера - Производитель Samsung в городе Корсаков➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные Samsung Память для компьютера — купить в городе Корсаков и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 654 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Корсаков, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 654 шт:
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19.
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M471A2K43CB1-CTD OEM
1 модуль DDR4 SODIMM, 4GB, PC4-21300, 2666MHz, CL 17.
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 4 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19.
1 модуль памяти 16Gb, UDIMM DDR4, частота 2400МГц, CL 17.
Память DDR4 DIMM, объем 8Gb, частота 2666MHz, PC4-21300, CL19.
Samsung M378A5143DB0-CPB00 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2133 МГц, CAS Latency (CL): 15.
Samsung DDR4 2133 Registered ECC DIMM 32Gb - DDR4 2133 (PC 17000) DIMM 288 pin, 1x32 Гб, буферизованная, ECC, 1.2 В, CL 15
1 модуль памяти объемом 16Гб, тип DDR4, форм-фактор DIMM, количество контактов 288, CL15.
1 модуль памяти, объем 4Гб, 288 контактов, тип DDR4, форм-фактор DIMM.
1 модуль памяти, объем 8Гб, 288 контактов, тип DDR4, форм-фактор DIMM.
4Gb, SO-DIMM, DDR4, 2400MHz, CL17.
1 модуль памяти, 16Гб, DDR4 DIMM, 2666МГц, 288 pin.
1 модуль памяти 8Гб, DDR4 DIMM, частота 2400МГц.
1 модуль памяти, DDR4 DIMM, 32Gb, 2400MHz, ECC Reg, CL17.
Память DDR4 RDIMM, 32Gb, ECC Reg, 2400MHz, CL11.
Память DDR4 RDIMM, 16Gb, ECC Reg, CL11, 2666MHz.
Память DDR4 RDIMM, 16Gb, 2400MHz, ECC Reg.
1 модуль памяти, RDIMM DDR4, 16Gb, частота, 2666MHz, ECC Reg.
1 модуль памяти 32Gb, RDIMM DDR4, частота 2666МГц, CL 15.
Память DDR4 DIMM, 16Gb, частота 2666MHz, CL16.
1 модуль памяти, DDR4 DIMM, 8Gb, частота 2400MHz, PC4-19200.
Память DDR4 RDIMM, 16GB, 2666MHz, PC4-21300.
Память DDR4 UDIMM, 4Gb, 2666MHz, PC4-21300, 288-pin, 1.2В.
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 4 ГБ, форм-фактор SO-DIMM, частота 2400 МГц.
Память DDR4 DIMM, 4Gb, 2666MHz, CL19.
Оперативная память, DDR4, DIMM, 8GB, PC4-21300, 2666MHz
Память DDR4 RDIMM, объем 64Gb, ECC Reg, частота 2400МГц, PC4-19200, CL11.
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19.
1 модуль памяти DDR4 SODIMM, 16GB, PC4-21300, 2666MHz.
Samsung DDR3 1066 Registered ECC DIMM 16Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 7
Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 16Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1066 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 7
Samsung DDR2 667 DIMM 512Mb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц
Samsung DDR3L 1600 ECC SO-DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273CH0-CK0) - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
Samsung DDR3 1866 Registered ECC DIMM 16Gb - DDR3 1866 (PC 14900) DIMM 240 pin, 1x16 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 13
Samsung DDR3L 1333 Registered ECC DIMM 4Gb - DDR3L 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.35 В, CL 9
Samsung DDR3L 1333 Registered ECC DIMM 16Gb - DDR3L 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin, 1x16 Гб, буферизованная, ECC, 1.35 В, CL 9
Оперативная память Samsung DDR2 533 DIMM 512Mb - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 1x512 МБ, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL21 - 8Gb M378A1K43EB2-CWE - x0 МБ
Отзывы о Модуль памяти Samsung DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL21 - 8Gb M378A1K43EB2-CWE
Оперативная память Samsung 32Gb DDR4 3200MHz Samsung ECC Reg OEM (M393A4K40XXX-CWE) - x0 МБ
Отзывы о Оперативная память Samsung 32Gb DDR4 3200MHz Samsung ECC Reg OEM (M393A4K40XXX-CWE)
Оперативная память Samsung 8Gb DDR4 2933MHz Samsung ECC Reg OEM (M393A1K43XXX-CVF) - тип: DDR4, тактовая частота: 2933 МГц
Отзывы о Оперативная память Samsung 8Gb DDR4 2933MHz Samsung ECC Reg OEM (M393A1K43XXX-CVF)
Оперативная память Samsung 16Gb DDR4 3200MHz Samsung SO-DIMM OEM - тип: DDR4, тактовая частота: 3200 МГц, Форм-фактор: SODIMM
Отзывы о Оперативная память Samsung 16Gb DDR4 3200MHz Samsung SO-DIMM OEM
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M321R4GA0BB0-CQK - тип: DDR5, объем одного модуля: 32 ГБ, тактовая частота: 4800 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 40, особенности: ECC, Registered, RDIMM
Отзывы о Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M321R4GA0BB0-CQK
Samsung DDR2 400 DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц
Samsung DDR 333 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC
Samsung SDRAM 133 Registered ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC
Samsung Low Profile DDR2 400 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC
Отзывы о Samsung Low Profile DDR2 400 Registered ECC DIMM 4Gb
Samsung SDRAM 133 SO-DIMM 512Mb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR 333 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц
Samsung DDR3 1600 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1333 ECC DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1600 Registered ECC DIMM 16Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Отзывы о Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb
Samsung DDR3 1600 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1600 Registered ECC DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1600 DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1066 DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7
Samsung DDR3 1333 DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR2 400 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Samsung DDR 333 DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц
Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1333 ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR2 800 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC
Samsung DDR3 1333 ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1600 DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц
Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1066 Registered ECC DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 7
Samsung DDR3 1600 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц
Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1333 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1333 DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR 266 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC
Samsung DDR2 800 SO-DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц
Samsung DDR2 800 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц
Samsung DDR2 667 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 667 FB-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Samsung Low Profile DDR 400 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC
Отзывы о Samsung Low Profile DDR 400 Registered ECC DIMM 2Gb
Samsung DDR2 667 FB-DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 800 DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц
Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 667 SO-DIMM 512Mb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц
Доставка товаров из категории "память для компьютера - производитель samsung" - в городе в Корсаков от 2х дней. Контакты - Корсаков » Изменить Город |